Polysilicon tinh khiết như thế nào?

Yêu cầu độ tinh khiết đối với polysilicon là cực kỳ cao, nhưng thay đổi đáng kể tùy thuộc vào việc sử dụng cuối cùng của nó:

Lớp điện tử (đối với chất bán dẫn): Đây là mức độ tinh khiết cao nhất, thường yêu cầu ‌99.9999999% (9N) hoặc độ tinh khiết cao hơn. Tạp chí phải được giảm xuống các phần tỷ mức (ppb) hoặc thậm chí các phần hàng tỷ (ppt). Ngay cả nồng độ các chất dopants như boron, phốt pho hoặc kim loại có thể làm giảm đáng kể các tính chất điện của các tấm silicon đơn tinh thể cuối cùng và hiệu suất của các mạch tích hợp được chế tạo trên chúng. Các quá trình sấy khô nghiêm ngặt (như flashdry) là rất quan trọng sau khi loại bỏ để ngăn chặn quá trình oxy hóa và ô nhiễm bề mặt trước khi tăng trưởng tinh thể.
Lớp mặt trời (đối với quang điện): Trong khi vẫn rất tinh khiết, các yêu cầu hơi ít nghiêm ngặt hơn một chút so với cấp độ điện tử, thường là khoảng ‌99,9999% (6n). Dung sai cho một số tạp chất nhất định, đặc biệt là các chất dopus có thể có lợi cho pin mặt trời (như boron hoặc phốt pho), cao hơn. Những tiến bộ trong công nghệ thanh lọc đã làm giảm đáng kể chi phí và tiêu thụ năng lượng của polysilicon cấp năng lượng mặt trời trong khi vẫn duy trì chất lượng đủ.

Các quá trình tinh chế (ví dụ, chưng cất chlorosilan, lắng đọng hơi hóa học trong quá trình SIEMENS, kết tinh/cắt tiên tiến) được thiết kế đặc biệt để đạt được mức độ tinh khiết phi thường này từ nguyên liệu MGS tương đối không tinh khiết.