SiC cacbua silic

Cacbua silic là một vật liệu hợp chất bán dẫn bao gồm các nguyên tố carbon và silicon. So với gali nitrit, nhôm nitrit, oxit gali và các vật liệu khác có độ rộng khe cấm lớn hơn 2,2eV, cacbua silic (SiC) được phân loại là vật liệu bán dẫn có khe cấm rộng và còn được gọi là vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba ở Trung Quốc.

Gửi yêu cầu

Mô tả

những lợi thế của cacbua silic

Nếu chỉ xem xét chip cacbua silic, so với chip năng lượng làm từ silicon truyền thống, cacbua silic có những ưu điểm không thể so sánh được trong lĩnh vực bán dẫn điện: nó có thể chịu được dòng điện và điện áp cao hơn, có tốc độ chuyển mạch cao hơn, ít thất thoát năng lượng hơn và hiệu suất nhiệt độ cao tốt hơn. Do đó, mô-đun nguồn làm bằng cacbua silic tương ứng có thể giảm số lượng thành phần như tụ điện, cuộn cảm, cuộn dây và các bộ phận tản nhiệt, làm cho toàn bộ mô-đun thiết bị điện nhẹ hơn, tiết kiệm năng lượng hơn và nhiều công suất đầu ra hơn, đồng thời nâng cao độ tin cậy. Những lợi thế này là hiển nhiên.

Từ góc độ ứng dụng thiết bị đầu cuối, vật liệu cacbua silic đã được sử dụng rộng rãi trong đường sắt tốc độ cao, điện tử ô tô, lưới điện thông minh, bộ biến tần quang điện, cơ điện công nghiệp, trung tâm dữ liệu, hàng trắng, điện tử tiêu dùng, truyền thông 5G, màn hình thế hệ tiếp theo và các lĩnh vực khác, và tiềm năng thị trường là rất lớn. Cả trong và ngoài ngành đều nhận ra tiềm năng ứng dụng to lớn của cacbua silic trong tương lai và lần lượt đặt ra các “đường đua vàng” xứng đáng với tên gọi của nó.

silicon carbide

Cacbua silic dẫn đầu tương lai

Từ quan điểm ứng dụng, cacbua silic được gọi là "con đường vàng", không quá nhiều.

Hiện nay, để tối đa hóa các đặc tính của vật liệu cacbua silic và gali nitrit, giải pháp lý tưởng là tăng trưởng epiticular trên chất nền đơn tinh thể cacbua silic. Điều đó có nghĩa là, một lớp epiticular silicon cacbua được trồng bên trên cacbua silic để sản xuất các thiết bị điện; Lớp epiticular gallium nitride phát triển trên silicon cacbua có thể được sử dụng để sản xuất các thiết bị điện trung thế, hạ thế và tần số cao (dưới 650V), thiết bị RF vi sóng công suất cao và thiết bị quang điện tử. Phương pháp này hiện đang được sử dụng rộng rãi trong chế tạo chip silicon cacbua và gali nitrit.

silicon carbide

liên hệ

Soyee Cheng

CÔNG TY TNHH QUỐC TẾ ZHEN AN

Điện thoại di động:+86-17737626416 (WhatsApp)

Email: soyee@zaferroalloy.com

Số fax: +86-372-5055180

Trang web1: https://www.zaferroalloy.cn/

Trang web2:https://www.zanewmetal.com/

Trụ sở chính: Trung tâm thương mại Huafu, quận Wenfeng, thành phố Anyang, tỉnh Hà Nam, Trung Quốc

Chú phổ biến: sic cacbua silic, nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy sản xuất sic cacbua silic Trung Quốc