Mô tả sản phẩm
Các cấu trúc khảm silicon kết tinh một phần được tìm thấy trongsilicon nitridePhim được chuẩn bị bởi LPCVD. Tùy thuộc vào điều kiện và quy trình phát triển, quy mô của cấu trúc dao động từ hàng chục đến hàng trăm nanomet. Dựa trên kết quả kiểm tra căng thẳng và kết quả quan sát kính hiển vi điện tử truyền qua của màng sinx được phát triển trong các điều kiện khác nhau, nguồn gốc của cấu trúc vi mô của màng sinx giàu silicon và sự tương tác của chúng với ứng suất trong màng đã được phân tích, và sự tăng trưởng của LPCVD. 40mm × 40mm. Dựa trên kết quả của nghiên cứu này, sự tăng trưởng có kiểm soát của màng SINX với căng thẳng kéo xác định đã được thực hiện bởi LPCVD.
Thông số sản phẩm
| Cấp | N | Si | Ca tối thiểu | O tối thiểu | C phút | Al Min | Fe tối thiểu |
| Si3n 485-99 | 32-39 | 55-60 | 0.25 | 1.5 | 0.3 | 0.25 | 0.25 |
Hình ảnh hợp tác sản phẩm
1.Silicon nitrideCác màng mỏng (sin _ x) được điều chế bằng công nghệ lắng đọng hóa chất áp suất thấp (LPCVD) sử dụng silane và amoniac làm nguồn silicon và nitơ, và nitơ tinh khiết cao như khí mang. Động học tăng trưởng của các màng sin _ x được nghiên cứu bằng phương pháp hình elip, các tính chất của màng sin _ x được đặc trưng bởi quang phổ hồng ngoại Fourier và quang phổ quang điện tử X-quang. Trong cùng điều kiện của các quá trình khác, tốc độ tăng trưởng của màng sin _ x tăng đơn điệu với sự gia tăng áp lực làm việc và tỷ lệ (R) của tốc độ dòng chảy của amoniac với silane trong khí nạp có ảnh hưởng ngược lại với tốc độ tăng trưởng của màng. Khi nhiệt độ phản ứng tăng, tốc độ lắng đọng tăng dần, đạt tối đa khoảng 840 độ và sau đó giảm nhanh. Khi R2 được sử dụng, một sin giàu si _ x màng mỏng (x1.33). Khi R4 được sử dụng, một màng sin _ x có thu được gần như stoichiometric (z≈1.33).
Chú phổ biến: Sản phẩm cấp cao Silicon Nitride, Nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà cung cấp, nhà sản xuất silicon sản phẩm cao